上海鑄金分析儀器有限公司
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▲高性能電子光學(xué)系統(tǒng)
二次電子分辨率: 頂位二次電子探測(cè)器(2.0 nm at 1kV)*
高靈敏度: PD-BSD, 強(qiáng)的低加速電壓性能,低至100 V成像
大束流(>200 nA): 便于微區(qū)分析
▲性能優(yōu)良
壓力可變: 具有優(yōu)的低真空(10 -300 Pa)成像性能,配備高靈敏度低真空探測(cè)器(UVD)*
開(kāi)倉(cāng)室快速簡(jiǎn)單換樣(大樣品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH)
微區(qū)分析: EDS, WDS, EBSD等等
*選配附件
日立熱場(chǎng)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡SU5000規(guī)格:
項(xiàng)目 |
內(nèi)容 |
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分辨率 |
1.2 nm @ 30 kV |
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放大倍率 |
10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素) |
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電子光學(xué)系統(tǒng) |
電子槍 |
ZrO /W 肖特基式電子槍 |
加速電壓 |
0.5 - 30 kV (0.1 kV 步進(jìn)) |
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著陸電壓 |
減速模式: 0.1 - 2.0 kV *1 |
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大束流 |
> 200 nA |
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探測(cè)器 |
低位二次電子探測(cè)器 |
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低真空模式*2 |
真空范圍: 10 - 300 Pa |
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馬達(dá)臺(tái) |
馬達(dá)臺(tái)控制 |
5 - 軸自動(dòng) (優(yōu)中心) |
可動(dòng)范圍 |
X:0~100mm |
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大樣品尺寸 |
大直徑: 200 mm |
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選配探測(cè)器 |
高分辨率頂位二次電子探測(cè)器*1 高靈敏度低真空探測(cè)器 (UVD) 5分割半導(dǎo)體探測(cè)器 (PD-BSD)*3 能譜儀 (EDS) 波譜儀 (WDS) 背散射電子衍射探測(cè)器 (EBSD) |
*1:減速功能(包含高分辨率頂位二次電子探測(cè)器)
*2:低真空功能(包含5分割半導(dǎo)體探測(cè)器)
*3:空壓機(jī)(本地采購(gòu))